大兴安岭箱式变压器而不是外部的过电流检测电阻

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栅极驱动级（F）是用于驱动功率管（MOSFET），以便在一定比例的传导，这将是共模电磁干扰，大兴安岭箱式变压器以最大限度地减少漏 - 源导通电阻模型和芯片结温有关MOSFET的漏极 - 源极击穿电压？（BO）的DS≥700 V

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大兴安岭箱式变压器过流保护电路过流比较器的反相输入端接阈值电压？MOSFET漏同相输入端接。大兴安岭箱式变压器巧妙地利用MOSFET的导通电阻？ DS（ON）？当IO是太大，限制过流比较器翻转，输出变为高电平，与门Y2或门Ĥ触发我设置为零，因此，MOSFET关断，起到过流保护作用。

此外，该芯片http://rizhao.tjsdtl.com/还具有初始输入电流限制功能，只是功率可以予以纠正直流限制在0.6（交流265 V输入电压对应）或0.75（对应AC 85 V〜）

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